产能大增!ST首批8寸SiC晶圆面世,部分在深圳封测

发表时间:2021-07-30 10:46作者:欧朋洋电子

近日, 意法半导体(简称ST)宣布,ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片,这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

  


ST称,SiC晶圆升级到200mm标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功,巩固了ST在这一开创性技术领域的领导地位,提高了电力电子芯片的轻量化和能效,降低客户获取这些产品的总拥有成本。


碳化硅是一种化合物半导体材料,与硅材料相比,本征特性可提供更高的性能、能效,适合电动汽车、工业制造过程等重要的高增长电力应用领域。


  

图:ST的6英寸SiC晶圆


据悉,意法半导体在碳化硅晶圆的研发上已经投入了25年之久,拥有70多项专利,2019年还收购了Norstel,并改名为意法半导体碳化硅公司,获得了碳化硅硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀。


ST还表示,首批200mm SiC晶圆片质量上乘,影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少新的碳化硅晶圆在意大利、新加坡的两家150mm晶圆厂完成前工序制造,而后工序制造则在中国深圳、摩洛哥的两家封测厂进行。


  

图:ST的全球据点


对比150mm晶圆,200mm晶圆可增加大幅产能,可用面积几乎增加一倍,合格芯片产量则增加80-90%新晶圆可以实现更高效的电能转换,更小、更轻量化的设计,节省系统设计总体成本,而这些都是决定汽车和工业系统成功的关键参数和因素。


意法半导体汽车和分立器件产品部总裁Marco Monti表示:汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程,SiC晶圆升级到200mm将会给ST的汽车和工业客户带来巨大好处。


同时他表示,随着产量扩大,提升规模经济效益是很重要的。在覆盖整个制造链的内部SiC生态系统方面积累深厚的专业知识,可以提高制造灵活性,更有效地控制晶圆片的良率和质量改进。


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