产能大增！ST首批8寸SiC晶圆面世，部分在深圳封测

近日， 意法半导体（简称ST）宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

ST称，SiC晶圆升级到200mm标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，巩固了ST在这一开创性技术领域的领导地位，提高了电力电子芯片的轻量化和能效，降低客户获取这些产品的总拥有成本。

碳化硅是一种化合物半导体材料，与硅材料相比，本征特性可提供更高的性能、能效，适合电动汽车、工业制造过程等重要的高增长电力应用领域。

图：ST的6英寸SiC晶圆

据悉，意法半导体在碳化硅晶圆的研发上已经投入了25年之久，拥有70多项专利，2019年还收购了Norstel，并改名为意法半导体碳化硅公司，获得了碳化硅硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀。

ST还表示，首批200mm SiC晶圆片质量上乘，影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少。新的碳化硅晶圆在意大利、新加坡的两家150mm晶圆厂完成前工序制造，而后工序制造则在中国深圳、摩洛哥的两家封测厂进行。

图：ST的全球据点

对比150mm晶圆，200mm晶圆可增加大幅产能，可用面积几乎增加一倍，合格芯片产量则增加80-90％。新晶圆可以实现更高效的电能转换，更小、更轻量化的设计，节省系统设计总体成本，而这些都是决定汽车和工业系统成功的关键参数和因素。

意法半导体汽车和分立器件产品部总裁Marco Monti表示：汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程，SiC晶圆升级到200mm将会给ST的汽车和工业客户带来巨大好处。

同时他表示，随着产量扩大，提升规模经济效益是很重要的。在覆盖整个制造链的内部SiC生态系统方面积累深厚的专业知识，可以提高制造灵活性，更有效地控制晶圆片的良率和质量改进。